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有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法

一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法,用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上;将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在第一个抛光盘上,在橡胶垫上喷WD‑40抛光液1~3毫升,用手指画“8”字进行磨抛,对晶片两面分别抛光300~1000秒,之后立即用异丙醇冲洗;再将经过WD‑40抛光后的晶体放在第二个抛光盘上,滴加抛光液异丙醇3~5ml,以同样的方法进行化学抛光,待晶体表面光滑、平整、无划痕时,磨抛完毕。之后立即用异丙醇冲洗,高纯氮气吹干。由于采用两种抛光液先后抛光,不会产生新的残留,实用性好。