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Ge064   多晶硅生产工艺配方制造制备技术专利大全

 (本套专利380元,含下列全部;单购每项50元)

01、一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
02、一种制备太阳能级多晶硅的方法
03、形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
04、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
05、一种生产多晶硅用的还原炉
06、多晶硅的制造方法
07、多晶硅栅极掺杂方法
08、一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
09、激光薄膜多晶硅退火光学系统
10、激光薄膜多晶硅退火系统
11、用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
12、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
13、用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
14、高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
15、铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
16、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
17、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
18、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
19、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
20、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
21、具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
22、多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法
23、用于沉积多晶硅的CVD装置
24、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
25、多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
26、一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
27、一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
28、双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
29、限定多晶硅图案的方法
30、激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
31、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
32、形成多晶硅薄膜的方法,包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
33、浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
34、溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
35、硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
36、薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
37、具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
38、激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
39、有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
40、具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
41、单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
42、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
43、形成多晶硅结构
44、在半导体装置中形成多晶硅层的方法
45、制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
46、低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
47、低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
48、一种制备多晶硅的方法
49、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
50、彩色多晶硅微粒及其制备方法
51、一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
52、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
53、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
54、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
55、多晶硅的生产装置
56、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
57、利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
58、一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
59、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
60、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
61、形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
62、多晶硅膜的形成方法
63、制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
64、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
65、制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
66、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
67、形成多晶硅锗层的方法
68、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
69、低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
70、制作低温多晶硅薄膜的方法
71、一种制备多晶硅绒面的方法
72、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
73、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
74、测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
75、超小粒径多晶硅的结构和方法
76、光罩与应用其形成多晶硅层的方法
77、低温多晶硅薄膜的制造方法
78、多晶硅层的结晶方法
79、多晶硅薄膜的制造方法
80、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
81、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
82、制造多晶硅层的方法
83、形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
84、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
85、将非晶硅转换为多晶硅的方法
86、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
87、多晶硅氢还原炉
88、薄膜晶体管的多晶硅制造方法
89、于基板上形成多晶硅层的方法
90、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
91、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
92、用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
93、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
94、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
95、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
96、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
97、制备多晶硅的方法
98、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
99、多晶硅的定向生长方法
100、多晶硅、其生产方法及生产装置
101、多晶硅层的制作方法
102、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
103、利用放热反应制备多晶硅的方法
104、制备多晶硅颗粒的方法和装置
105、多晶硅化学气相沉积方法和装置
106、多晶硅棒及其制造方法
107、低温多晶硅有机电激发光装置的制法
108、多晶硅膜的制造方法
109、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
110、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
111、多晶硅棒及其加工方法
112、多晶硅间介电层的制造方法
113、多晶硅薄膜的制作方法
114、多晶硅太阳电池绒面的制备方法
115、形成多晶硅薄膜的方法
116、表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
117、多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
118、形成多晶硅薄膜装置的方法

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