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Ge074   硅晶片生产技术配方制造工艺专利大全

 (本套专利450元,含下列全部;单购每项50元)

01、浮法硅晶片的制作工艺和设备
02、减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计
03、外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
04、一种碱性硅晶片抛光液
05、用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法
06、从硅晶片制造复杂刀片几何体和增强刀片几何体的方法
07、100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
08、减少硅晶片中的金属杂质的方法
09、硅晶片研磨装置及其保持组件、硅晶片平整度校正方法
10、硅晶片基板固定台和硅晶片基板温度测量方法
11、使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
12、掺氮硅晶片及其制造方法
13、太阳能硅晶片清洗剂
14、一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法
15、低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
16、研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法
17、硅晶片
18、低微管100mm碳化硅晶片
19、硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片
20、一种用于硅晶片的精抛液
21、一种用于硅晶片的研磨液
22、太阳能硅晶片双束激光双线划槽方法与装置
23、硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
24、加工硅晶片的方法
25、快速热退火以及由其制造的硅晶片
26、碳化硅晶片的制备方法
27、硅晶片及硅晶片的热处理方法
28、半导体硅晶片水基研磨液
29、薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池
30、利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
31、高电阻硅晶片的制造方法以及外延晶片及SOI晶片的制造方法
32、绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
33、IGBT用硅晶片及其制备方法
34、一定缺陷特性的半导体硅晶片的制法以及具有该特性的半导体硅晶片
35、高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
36、消除半导体硅晶片表面应力的方法
37、硅晶片的洗涤方法
38、硅晶片的制造方法
39、硅晶片制造方法
40、硅晶片表面缺陷的评价方法
41、外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
42、用于减小硅晶片之间吸引力的方法
43、一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法
44、硅晶片及其制造方法
45、光学平台及其制造方法、光学组件、硅晶片基板及晶片
46、硅晶片及其制造方法
47、旋转式硅晶片清洗装置
48、单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
49、用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
50、单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
51、外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
52、硅晶片应用的助焊和填缝材料,和用其制造的层状电子组件
53、硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片
54、低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备
55、硅晶片的制造方法
56、加工硅晶片的方法
57、硅晶片以及用于制造硅晶片的方法
58、硅晶片的制造方法
59、用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
60、硅晶片激光加工方法和激光束加工装置
61、抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
62、硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法
63、制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法
64、具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉机
65、低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片
66、变形硅晶片的表面检查方法和检查装置
67、硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
68、硅单晶的制造方法和硅晶片
69、具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法
70、硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
71、硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法
72、具有贯穿晶片的通路的硅晶片
73、单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
74、快速热退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶设备
75、消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片
76、热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片
77、直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法

硅片生产技术配方制备工艺专利大全

01、制造高平度硅片的方法
02、硅块及硅片的制造方法
03、一种硅片研磨载体的制作方法
04、一种太阳能硅片清洗剂
05、大面积硅片的旋转腐蚀系统和方法
06、硅片电镀用的科研实验系统
07、一种硅片腐蚀液
08、一种光刻机硅片台双台交换系统
09、一种半导体硅片的减薄制造工艺
10、太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法及装置
11、太阳能电池硅片翘曲的解决方法
12、硅片表面的处理方法
13、硅片外延线性缺陷的测定方法
14、去除硅片背面氮化硅膜的方法
15、用于平滑转移方硅片的机械工具及其转移方法
16、多平台光刻机硅片水平控制和自动对焦系统及其实现方法
17、半导体硅片手动作业的工作台面及其制造方法
18、用碎硅片制备的太阳电池及其制备方法
19、半导体硅片化学机械抛光用清洗液
20、用于硅片台的气动真空控制系统
21、一种增进硅片级封装(WLP)可靠度的封装结构
22、一种短波长光辅助硅片直接键合方法
23、加工研磨硅片载体的专用模具
24、单晶硅片水基清洗剂
25、多晶硅片水基清洗剂
26、半导体硅片的清洗装置及清洗方法
27、一种硅片边缘标识方法
28、硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法
29、基于多传感器数据融合的硅片预定位系统
30、一种硅片级电迁移测试加热器结构
31、硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
32、硅片生产中使用的石墨舟
33、硅片生产中的载片器和载片器上的挂钩
34、在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
35、批量硅片曝光的方法
36、硅片表面金属电极制作方法及开槽器
37、单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
38、硅片研磨表面划伤的控制方法
39、硅片上制作纳米孔的方法
40、一种清洗单硅片的方法及装置
41、热蒸发镀金硅片合成疏水性二氧化硅纳米纤维的方法
42、蘸取式硅片制作方法
43、硅片切片的新方法
44、基于SOI硅片的非制冷红外传感器及其阵列和制造方法
45、高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法
46、一种硅片表面颗粒定点清除系统及方法
47、一种机械手自动硅片取放系统及方法
48、单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法
49、一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法
50、层状奈米氧化硅片改质聚酰胺酸树脂组合物及由其制备的聚酰亚胺薄膜
51、一种硅片预对准装置
52、太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法
53、用于切割超薄硅片的方法和装置
54、硅片的制造方法
55、N-型硅片上制造太阳能电池的方法
56、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法
57、一种特殊结构的硅片、其用途和制备方法
58、一种去除硅片背面氮化硅的方法
59、一种多孔硅片及其制备方法
60、在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法
61、硅片表面接触孔的制作方法
62、一种减小硅片应力的半导体生产工艺方法
63、湿法去除硅片背面钴沾污的方法
64、利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法
65、一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法
66、单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
67、一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺
68、一种硅片卸载工艺
69、一种硅片脱附工艺
70、一种硅片工艺试验方法
71、一种硅片卸载工艺
72、一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗粒的等离子体清洗方法
73、一种在硅片上化学镀铜的方法
74、p型单晶硅片的表面处理方法
75、n型单晶硅片的表面处理方法
76、薄化硅片方法
77、高精度硅片台及其用途
78、一种提高产量和减小硅片表面粗糙度的硅片卸载工艺
79、一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法
80、具有视觉传感器的硅片传输系统及传输方法
81、具有CCD传感器的硅片传输系统及传输方法
82、一种将硅片的中心放置在静电卡盘中心的方法
83、硅片研磨液
84、用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法
85、重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
86、具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
87、清洗组合物及清洗和制造硅片的方法
88、在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法
89、一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法
90、单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
91、单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
92、倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪
93、在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
94、用于大直径硅片储存和运输的包装容器
95、一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片
96、硅片热处理夹具和硅片热处理方法
97、二维并联驱动的硅片搬运机器人
98、硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
99、在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法
100、片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法
101、一种片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法
102、单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
103、一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品
104、单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
105、用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法
106、RF集成电路用绝缘硅片
107、步进投影光刻机双台轮换曝光超精密定位硅片台系统
108、控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置
109、电化学法玻璃片硅片穿孔设备
110、硅片和生产单晶硅的方法
111、用于把硅片从多盒站装载及卸入炉子的装置
112、在减低压力的情况下掺杂、扩散及氧化硅片的方法和装置
113、机加工硅片的方法
114、在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置
115、集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法
116、应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法
117、一种利用Cu诱导硅片表面COP的测试方法
118、以Ge-B共掺直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片
119、转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法及其光刻系统
120、硅片的制造方法
121、硅片太阳电池制作方法
122、超薄太阳能级硅片及其切割工艺
123、从硅片切割加工副产物中回收碳化硅的方法
124、硅片对准信号采集与处理系统及使用该系统的处理方法
125、改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置
126、在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
127、一种单硅片体微机械工艺实现的带静电自检测的加速度计
128、硅片低温直接键合方法
129、一种直拉硅片的内吸杂工艺
130、带有平衡块消振装置的超精密硅片定位系统
131、硅片清洗刷的清洗装置及其清洗方法
132、一种测量硅片上多层膜应力的方法
133、具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
134、硅片承载器
135、用于控制理想氧沉淀硅片中洁净区深度的方法
136、集成电路硅片表面颗粒清除方法
137、硅片IMD CMP后成膜方法
138、一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
139、增大硅片单位面积金属-电介质-金属电容容量的方法
140、硅片键合强度的测量方法
141、 用于测量硅片键合强度的装置
142、硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
143、清洗硅片刻蚀腔室的方法
144、半导体硅片刻蚀工艺的控制方法
145、硅化钨硅片刻蚀的方法
146、包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片
147、用于清洗硅片的方法
148、硅片边缘的磨角装置
149、一种光电开关动态调整硅片偏差的方法及装置
150、一种硅片的切割方法
151、一种采用十字导轨的光刻机硅片台双台交换系统
152、硅片边缘曝光系统及其光强控制方法
153、硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法
154、硅片刻蚀设备
155、硅片传输设备的控制系统及方法
156、硅片传输过程的调度方法
157、硅片脱附的方法
158、具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法
159、一种采用过渡承接装置的光刻机硅片台双台交换系统
160、从硅片切割加工副产物中回收切割液的方法
161、在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
162、硅片装卸装置
163、硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
164、用于硅片传输系统的并发控制方法
165、超声波清洗单晶硅片方法及其装置
166、硅片刻蚀方法
167、气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
168、鉴别硅片主参考面位置是否正确的方法
169、硅片加工过程中的调度方法
170、硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
171、一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺
172、平衡硅片应力的后道互连实施方法
173、用多线切割机将多个薄硅片沿径向一次性分切的方法
174、在硅片低温外延生长前去除自然氧化层的方法
175、硅片固定部件
176、硅片刻蚀的方法
177、硅片图形缺陷在线检测方法
178、一种采用传送带结构的光刻机硅片台双台交换系统
179、一种光刻机硅片平台水平控制和自动对焦系统及方法
180、一种标准硅片制作方法
181、可实现多工位加工的硅片高速传输方法及传输系统
182、硅片蚀刻方法
183、半导体硅片液态源扩散炉
184、减少氧化硅片正面颗粒的方法
185、将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法
186、用于硅片传输系统的服务器架构以及信息交换方法
187、一种硅片表面图形刻蚀方法及其硅片
188、硅片刻蚀方法
189、刻蚀设备中的硅片升降用顶针
190、一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法
191、精密平衡减振硅片台运动系统

 

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