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多晶硅生产工艺系列专利技术
1、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
2、70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法
3、N型掺杂多晶硅的制造方法
4、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
5、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
6、半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
7、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
8、避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
9、玻璃衬底的预多晶硅被覆
10、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
11、薄膜晶体管的多晶硅制造方法
12、彩色多晶硅微粒及其制备方法
13、超小粒径多晶硅的结构和方法
14、低温多晶硅薄膜的制造方法
15、低温多晶硅薄膜的制造方法 2
16、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
17、低温多晶硅薄膜电晶体的结构
18、低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
19、多晶硅、其生产方法及生产装置
20、多晶硅棒及其加工方法
21、多晶硅棒及其制造方法
22、多晶硅表面金属杂质的清除
23、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
24、多晶硅薄膜的制造方法
25、多晶硅薄膜的制造方法 2
26、多晶硅薄膜的制造方法 3
27、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
28、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
29、多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
30、多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
31、多晶硅层的处理方法
32、多晶硅层的结晶方法
33、多晶硅层的制作方法
34、多晶硅层的制作方法 2
35、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
36、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
37、多晶硅的定向生长方法
38、多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
39、多晶硅的评价方法
40、多晶硅的生产装置
41、多晶硅的蚀刻方法
42、多晶硅的制造方法和装置
43、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
44、多晶硅电阻及其制造方法
45、多晶硅电阻器及其制造方法
46、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
47、多晶硅化钨栅极的制造方法
48、多晶硅化学气相沉积方法和装置
49、多晶硅间介电层的制造方法
50、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
51、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
52、多晶硅膜的制造方法
53、多晶硅氢还原炉
54、多晶硅氢还原炉 2
55、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
56、多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法
57、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
58、多晶硅细脉熔丝
59、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
60、多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
61、改进的多晶硅-硅化物
62、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
63、改善栅极多晶硅层电阻值的方法
64、高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
65、光罩与应用其形成多晶硅层的方法
66、化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
67、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
68、基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
69、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
70、将非晶硅转换为多晶硅的方法
71、降低多晶硅层洞缺陷的方法
72、具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
73、具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
74、具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
75、绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
76、可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
77、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
78、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
79、利用放热反应制备多晶硅的方法
80、利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
81、利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
82、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
83、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
84、评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
85、去除多晶硅残留的方法
86、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
87、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
88、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
89、为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
90、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
91、形成T型多晶硅栅极的方法
92、形成多晶硅层的方法
93、形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
94、形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体的方法
95、形成多晶硅结构
96、形成多晶硅锗层的方法
97、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
98、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
99、形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
100、形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
101、形成微晶硅系列薄膜的工艺和适于实施所述工艺的装置
102、一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
103、一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
104、一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
105、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
106、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
107、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法
108、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
109、一种制备多晶硅的方法
110、一种制备多晶硅绒面的方法
111、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
112、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
113、用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
114、用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
115、用多晶硅原料制备熔硅的方法
116、用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
117、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
118、用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
119、用于评估多晶硅薄膜的装置
120、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
121、由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
122、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
123、于基板上形成多晶硅层的方法
124、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
125、在半导体装置中形成多晶硅层的方法
126、在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法
127、制备多晶硅的方法
128、制备多晶硅颗粒的方法和装置
129、制备微晶硅的方法
130、制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
131、制造多晶硅层的方法
132、制造多晶硅层的方法及其光罩
133、制造内层多晶硅介电层的方法
134、制造双层多晶硅存储器元件的方法
135、制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
136、制作低温多晶硅薄膜的方法
137、制作多晶硅薄膜的方法
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